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便攜式樣品傳送腔體 參考價：面議
便攜式樣品傳送腔體是一種專門設計用于在超高真空環境中傳送和處理樣品的設備。這種設備通常包括一個或多個關鍵組成部分，如連接真空計的接口、反射式光電陰極入射光導入口...
4/6英寸輻射式樣品臺系統 參考價：面議
4/6英寸輻射式樣品臺系統"可能指的是一種用于實驗或研究的設備或組件，特別是在材料科學、物理學、工程學或其他需要精確控制和分析樣品的環境中的設備。
插拔式加熱器沉積系統 參考價：面議
插拔式加熱器沉積系統是一種方便、實用的加熱設備，廣泛應用于各種工業和商業領域。這種加熱器通常具有緊湊的設計，可以方便地插入到電源插座中，提供快速、高效的加熱功能...
脈沖激光沉積樣品臺 參考價：面議
脈沖激光沉積樣品臺是一種物理氣相沉積技術，用于在襯底上生長高質量的薄膜。脈沖激光沉積系統中的樣品臺是一個關鍵組件，用于支撐和加熱待沉積的樣品。
脈沖激光沉積靶臺 參考價：面議
脈沖激光沉積靶臺的設計和應用對于脈沖激光沉積系統的性能和實驗結果具有重要影響。通過綜合考慮穩定性、熱隔離、靈活性、靶材均勻性、冷卻機制以及靶材旋轉等因素，可以設...
脈沖激光沉積系統激光光路 參考價：面議
脈沖激光沉積系統激光光路是一個高度復雜和精密的系統，需要各個部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質量的薄膜。同時，隨著科技的發展，脈沖激光沉積技術也在不斷地進...
單腔體脈沖激光沉積系統 參考價：面議
單腔體脈沖激光沉積系統是一種先進的材料制備技術，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發和電離靶材上的物質，并在基底上沉積形成各種物質薄膜。這種系統通常包括一個沉積室，...
雙腔體脈沖激光沉積系統 參考價：面議
雙腔體脈沖激光沉積系統（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種先進的薄膜制備技術，它結合了脈沖激光沉積（...
電漿原子層沉積設備 參考價：面議
電漿原子層沉積設備是一種基于常規ALD的先進方法，其利用電漿作為裂化前驅物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。
原子層沉積設備 參考價：面議
原子層沉積設備為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。
原子層沉積系統 參考價：面議
原子層沉積系統是基于順序使用氣相化學過程的最重要技術之一；它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積（CVD）。多數ALD反應使用兩種或更多種化學物質（稱為前驅物，...
批量式電漿輔助氣相沉積設備 參考價：面議
批量式電漿輔助氣相沉積設備為一種使用化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供能量。與傳統的CVD方法相比，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。
FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積 參考價：面議
FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求...
感應耦合電漿化學氣相沉積設備 參考價：面議
感應耦合電漿化學氣相沉積設備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不...
低真空化學氣相沉積設備 參考價：面議
低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。
電漿輔助式化學氣相沉積設備 參考價：面議
電漿輔助式化學氣相沉積設備是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術，可為沉積反應提供一些能量。與傳統的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜...
化學氣相沉積 參考價：面議
化學氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環境中制造高質量與高...
PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200 參考價：面議
PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200根據其模塊化設計，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。
帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD 參考價：面議
帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD的特色是預真空室和干泵裝置，用于無油、高產量和潔凈的化學氣相沉積過程。
等離子沉積設備SI 500 D 參考價：面議
等離子沉積設備SI 500 D低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態密度，使得所沉積的薄膜具有優異的性能...
化學氣相沉積系統 參考價：面議
化學氣相沉積系統PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相沉積工藝。
沉積系統 參考價：面議
三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空室和/或...
SENTECH二維材料刻蝕 參考價：面議
SENTECH二維材料刻蝕能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。
原子層沉積設備 參考價：面議
原子層沉積設備：真遠程等離子體源能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子...
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